温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种外延生长方法及掩埋异质结构的外延层，包括以下步骤：S1、生长n/p/n/p InP或InGaAsP层的部分或全部；S2、通过掩埋、干法或湿法刻蚀所需要外延生长的形状模型；S3、在形状模型内生长外延结构中所有含Al的材料。本发明...
该专利属于武汉华工正源光子技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉华工正源光子技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。