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本发明实施例提供一种减小半导体衬底上扩的方法。该方法包括：在衬底中形成氧化层埋层，所述氧化层埋层的上表面与所述衬底的上表面在同一水平面；在所述衬底和所述氧化层埋层的上表面生长外延层；在所述外延层中注入下沉离子，通过高温驱入使所述下沉离子向下...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。