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基于自停止刻蚀的氮化镓基器件隔离的制备方法技术
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下载基于自停止刻蚀的氮化镓基器件隔离的制备方法的技术资料
文档序号:14345646
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本发明公开了一种基于自停止刻蚀的氮化镓基器件隔离的制备方法,隔离区利用自停止氧化湿法腐蚀技术制备,消除了等离子体对有源区边缘及隔离区表面的损伤,可以有效降低泄漏电流,而隔离区仅势垒层被刻蚀掉,相对于ICP刻蚀来说台阶高度明显降低,且可以方便...
该专利属于北京大学所有,仅供学习研究参考,未经过北京大学授权不得商用。
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