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本发明提供一种磁屏蔽装置，包括同轴的N(N为大于2的整数)层磁屏蔽筒，其中，最内层的所述磁屏蔽筒的半径为R1，第i(1≤i≤N)层所述磁屏蔽筒的半径为：本发明设计简单，易于实现，可以广泛应用于电磁领域来制造弱磁环境。...
该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

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