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本发明公开一种基于Au/In等温凝固的低温键合方法,包括:在第一基片的键合面上形成第一金图案层;在第二基片的键合面上形成凸点图案层;在第二基片的键合面上依次形成覆盖所述凸点图案层的第二金图案层和铟图案层;将所述第一基片的键合面与所述第二基片...该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。
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本发明公开一种基于Au/In等温凝固的低温键合方法,包括:在第一基片的键合面上形成第一金图案层;在第二基片的键合面上形成凸点图案层;在第二基片的键合面上依次形成覆盖所述凸点图案层的第二金图案层和铟图案层;将所述第一基片的键合面与所述第二基片...