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本发明公开一种具SONOS存储单元的非挥发性存储器的制造方法，包括提供一基板；在基板上形成第一栅极氧化层及第一栅极导电层；在完成第一栅极导电层的图型化及蚀刻步骤而形成MOS晶体管栅极后，在基板上形成ONO结构；以及于ONO结构上形成第二栅极...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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