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本实用新型公开了一种内嵌PMOS触发的用于静电防护的可控硅，包括：P型衬底、N阱、P阱、P+注入区、N+注入区、多晶硅栅、浅槽隔离、阴极、阳极，所述N阱包括第一N阱、第二N阱，所述N+注入区包括第一N+注入区、第二N+注入区，所述P+注入区...
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