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本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种IGBT器件。其包括肖特基二极管和沟槽MOSFET，沟槽MOSFET由下到上依次包括P+衬底、耐压漂移区、P型体区外延层和N+源区外延层；在沟槽MOSFET的上端开设有栅区沟槽和肖特基沟槽，且两...
该专利属于吉林华微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过吉林华微电子股份有限公司授权不得商用。

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