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一种用于消除回滞现象的逆导型横向绝缘栅双极型晶体管器件，在提高传统结构关断速度的情况下，消除了回滞现象。该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型漂移区，其两侧设有N型缓冲区阵列和P型体区，在N型缓冲区列阵的各个N型缓冲区内设有重...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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