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本发明提供发光二极管及其制备方法。详细地，可提供如下的发光二极管：所述发光二极管的特征在于，包括：第一发光结构体，由形成于基板上的第一n‑GaN层、第一活性层、第一p‑GaN层依次层叠而成；第一n型电极，形成于第一n‑GaN层的上部的一侧；...
该专利属于光州科学技术院所有，仅供学习研究参考，未经过光州科学技术院授权不得商用。

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