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本发明公开一种QLED及其制备方法。制备方法包括：步骤A、在基板表面依次沉积一层空穴注入层和空穴传输层；步骤B、在空穴传输层表面沉积量子点发光层；步骤C、在量子点发光层表面依次沉积电子传输层和电子注入层；步骤D、将沉积完各功能层的基板上制作...
该专利属于TCL集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过TCL集团股份有限公司授权不得商用。

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