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一种套刻测量装置，包括：照明单元，适于产生照射光，对晶圆上形成的第一套刻标记进行照明，第一套刻标记在被照亮时产生反射光；第一测量单元，适于接收第一套刻标记产生的反射光，使接收的反射光产生横向偏移剪切干涉形成干涉光，并接收干涉光成第一图像，并...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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