温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种功率器件结构及其制作方法，包括依次设置的衬底、第一导电类型的外延层和第二导电类型的延伸区；所述外延层内具有重掺杂第二导电类型的主结区和具有第一导电类型的截止环，所述延伸区位于所述主结区与所述截止环之间，所述延伸区与所述主结区...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。