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一种IGBT器件，包括：衬底及形成于衬底上的漂移层、电流阻挡层和半导体沟道层；位于漂移层内的P+阱；半导体沟道层上形成有发射电极；发射电极和电流阻挡层之间形成有P‑型电极，发射电极和P+阱同电位或电连接；位于发射电极间的半导体沟道层和电流阻...
该专利属于苏州捷芯威半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州捷芯威半导体有限公司授权不得商用。

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