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本发明公开了一种定域生长氧化铜纳米线阵列的方法。首先采用光刻或荫罩掩模依次在衬底上的特定区域内制备过渡层薄膜和铜薄膜，然后将其在氧气、空气或含有氧气的混合气体气氛下加热至３５０～７００℃，并保温５分钟～６小时，最后降温。本方法不使用任何催化...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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