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本发明涉及具有亚微米横截面的准一维材料，以化学式Ｍ↓［６］Ｃ↓［ｙ］Ｈ↓［ｚ］表述，其中Ｍ＝过渡金属元素，Ｃ＝硫属元素，Ｈ＝卤素，并且其中ｙ和ｚ是整数，使得８．２＜ｙ＋ｚ＜１０，所述材料在高于１０００℃的温度下以一步法合成。本发明还涉及这些...
该专利属于约塞夫史蒂芬学院所有，仅供学习研究参考，未经过约塞夫史蒂芬学院授权不得商用。

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