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本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N+接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、P‑well区、源极P+接触区；曲率结终端结构中的N+接触区、栅极多晶硅、栅氧化层...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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