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本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种逆导型IGBT。本发明的逆导型IGBT，其技术方案是：在N型高阻半导体材料表面形成P型区，所述P型区表面沿器件横向方向并列交替形成N型发射区和P型体接触区。在N型发射区中具有介质槽，由位于槽内壁的绝...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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