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本发明提供一种带栅极调控的垂直沟道纳米线生物传感器的集成方法，属于半导体制造技术领域。该方法结合刻蚀通孔、外延沟道以实现垂直沟道的纳米线生物传感器的集成。本发明与传统的水平沟道结构相比，生物分子在溶液中进行布朗运动时对纳米线沟道表面的各个方...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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