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本发明提供了一种用于光收发器件抗干扰的半导体器件，所述半导体器件包括：自下而上设置的背侧金属化层、p++承载晶圆层、P型外延层、隔离层以及金属层；背侧金属化层作为衬底，其上形成p++承载晶圆层，p++承载晶圆层上形成P型外延层，在P型外延层...
该专利属于飞昂通讯科技南通有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞昂通讯科技南通有限公司授权不得商用。

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