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一种含GaInNAs材料的多结太阳能电池及其制备方法技术
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文档序号:14235882
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本发明公开了一种含GaInNAs材料的多结太阳能电池及其制备方法,包括n型基底,在n型基底之上,按照层状叠加结构由下至上依次设置有至少三个子电池,全部子电池按带隙增加的顺序依次以串联方式堆叠,各子电池之间通过隧道结连接,在顶电池之上制备有增...
该专利属于中山德华芯片技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中山德华芯片技术有限公司授权不得商用。
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