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一种半导体器件的形成方法，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层表面形成有初始光刻胶膜；对所述初始光刻胶膜进行光刻工艺，形成具有第一线宽粗糙度的光刻胶层；对所述光刻胶层进行侧壁回流修复处理，侧壁回流修复处理后的光刻胶层具有小于第一线宽粗糙度的第二...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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