温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及制备方法，其中，高电子迁移率晶体管包括：衬底；位于衬底上的半导体层，其中，半导体层包括沟道层和异质结构，异质界面形成二维电子气，栅极区域的半导体层上形成有凹槽，且凹槽下方半导体层的厚度大于满足增强型晶体管...
该专利属于南方科技大学;苏州珂晶达电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南方科技大学;苏州珂晶达电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。