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本发明公开了一种CVD法制备石墨烯的低温衬底刻蚀液，盐酸浓度为0.7‑1.3mol/L、双氧水的氧化还原电位为630‑680mv。本发明是采用低酸的刻蚀药水配方和低温的刻蚀方法，刻蚀环境温和，有利于更好的保持石墨烯的完整和导电性能，从而实现...该专利属于无锡格菲电子薄膜科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡格菲电子薄膜科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种CVD法制备石墨烯的低温衬底刻蚀液，盐酸浓度为0.7‑1.3mol/L、双氧水的氧化还原电位为630‑680mv。本发明是采用低酸的刻蚀药水配方和低温的刻蚀方法，刻蚀环境温和，有利于更好的保持石墨烯的完整和导电性能，从而实现...