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本发明提供一种有源区制备方法，通过多次执行先灰化处理而后湿法去胶的工艺，可以完全去除所述图形化的光刻胶层以及浅沟槽刻蚀产生的聚合物残留问题，从而保证有源区的关键尺寸，并提高了后续的浅沟槽隔离结构的圆角工艺制程以及填充工艺制程的效果，最终提高...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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