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本发明公开了一种氮化镓基发光二极管的外延片的制备方法，属于光电子制造技术领域。该方法包括在衬底上生长缓冲层、三维成长层、u‑GaN层、n型层、应力释放层、有源层和p型层，n型层包括第一n‑GaN高温层、第二GaN低温层和第三n‑GaN高温层...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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