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本发明公开了一种可消除SMEAR效应的带快门CCD像元结构，包括高阻P型衬底和在高阻P型衬底正面形成的像元控制栅和光敏区电荷转移控制栅，像元控制栅加电压时在栅下形成耗尽区，在高阻P型衬底中设置一P型埋层；在光敏区电荷转移控制栅下设置N+注入...
该专利属于北方电子研究院安徽有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北方电子研究院安徽有限公司授权不得商用。

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