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本发明涉及一种SiC纳米线的制备方法，尤其涉及一种B掺杂SiC纳米线的制备方法，属于材料制备技术领域。一种B掺杂SiC纳米线的制备方法，所述的制备方法包括如下步骤：将有机前驱体进行预处理，然后与B2O3粉末混合均匀；将混合均匀后的物料及柔性...
该专利属于宁波工程学院所有，仅供学习研究参考，未经过宁波工程学院授权不得商用。

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