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本实用新型涉及包括HEMT结构、双向HEMT或双向HEMT结构的电子器件。一种包括HEMT结构的电子器件包括：漏极/源极电极；源极/漏极电极；第一栅极电极，所述第一栅极电极相比于所述源极/漏极电极更靠近所述漏极/源极电极；以及第一屏蔽结构，...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

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