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平面振膜单体的改良结构制造技术
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文档序号:14178655
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本实用新型提供一种平面振膜单体的改良结构,包括:一薄膜层、一第一线圈、一第二线圈、一第三线圈以及一第四线圈。所述的第一线圈是设置在薄膜层的第一面上的第一侧。所述的第二线圈是设置在薄膜层的第二面上的第一侧,并且与第一线圈电性连接。所述的第三线...
该专利属于邓克忠所有,仅供学习研究参考,未经过邓克忠授权不得商用。
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