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一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，包括NMOS区域和PMOS区域；形成PMOS区域上的第一栅介质层、第一盖帽层以及位于第一盖帽层表面的第一伪栅极，形成NMOS区域上的第二栅介质层、第二盖帽层以及位于第二盖帽层表面的第二伪栅极；在半...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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