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一种改善恢复时间和软度的快恢复二极管涉及半导体器件领域，该二极管减少发射区面积，即减少少数载流子注入的PN结的面积。在所述二极管的发射区等间距制作凹槽，所述凹槽的深度大于发射区的深度；在所述凹槽内制作绝缘层，使耐压漂移区与金属电极隔离。在通...
该专利属于吉林华微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过吉林华微电子股份有限公司授权不得商用。

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