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本发明公开了一种高硅b‑取向ZSM‑5 纳米片的合成方法，其特点是将铝源与氨水、无机盐和水混合，搅拌后缓慢滴加硅源，然后均速加入模板剂和晶种，在120~190 oC 温度下晶化反应24~48 小时，反应结束后经过滤、干燥得具有高硅b‑取向的...
该专利属于华东师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华东师范大学授权不得商用。

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