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本发明的目的在于提供一种具有光伏特性的拓扑绝缘体薄膜及其制备方法，其特征在于，利用化学气相沉积方法制备：将拓扑绝缘体材料蒸发沉积在硅基片上，得到拓扑绝缘体薄膜。该薄膜具有全日光波段光电响应能力，用太阳光作为光源，n-TI/p-Si或p-TI...
该专利属于中国科学院金属研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院金属研究所授权不得商用。

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