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本发明公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，包括在SOI衬底上形成栅结构和内偏移侧墙，在内偏移侧墙两侧形成第一抬高源漏区域，在第一抬高源漏区域上方的内偏移侧墙两侧形成第一外侧墙，在第一外侧墙两侧的第一抬高源漏区域上继续形成第二抬...该专利属于上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司授权不得商用。