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本发明涉及冶金学领域，特别是由富含Ｓｉ↑［２８］的无机化合物，主要是四氟化硅来生产单同位素硅的方法。本方法包括将四氟化硅在高温下还原，特征在于通过在１８０－２００℃的温度下将四氟化硅用氢化钙还原的方法来制备硅烷，然后将得到的硅烷在８００－９...
该专利属于俄罗斯科学院高纯材料化学研究所所有，仅供学习研究参考，未经过俄罗斯科学院高纯材料化学研究所授权不得商用。

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