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本发明提供的纳米硅管的制备方法是采用化学气相沉积法，它包括以下步骤：１）制备具有数个纳米尺寸孔径的氧化铝模板；２）用磁控溅射法对氧化铝模板的一个平面镀膜，镀膜材料为三、五族元素或过渡金属元素或金，镀膜厚度为１～１００００纳米；３）把镀膜过的...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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