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本发明公开了一种自对准低压超结MOSFET的制造方法，在n型外延上形成的终端区深沟槽包围有源区深沟槽;在所述深沟槽的底部和侧壁生长场氧化层；进行第一次多晶硅淀积；刻蚀至多晶硅与外延层上表面齐平；去除表面场氧化层；有源区深沟槽上方得到一个浅沟...
该专利属于西安龙腾新能源科技发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安龙腾新能源科技发展有限公司授权不得商用。

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