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本发明提供一种接触孔刻蚀方法及装置，所述方法包括：对元器件进行涂胶光刻后，在真空腔内进行接触孔刻蚀，并在所述元器件表面生成聚合物，其中所述真空腔的压强为300～500mTorr；在所述真空腔内对所述元器件表面进行物理轰击，去除所述聚合物，得...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。