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光电级硅的制造方法，其特征在于其步骤为：　　　　１）、在真空负压室中，用中频感应炉升温≥１８５０℃，把原料化学级硅熔融，除去铝、硼、磷、硫、碳及其它杂质；　　　　２）、采用惰性气体保护在硅熔液中通入１∶（１．１～１．５）氢气和水蒸汽，搅拌精...
该专利属于龚炳生所有，仅供学习研究参考，未经过龚炳生授权不得商用。

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