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本实用新型公开了一种硅基包裹GaN纳米线出射随机激光的装置,其特征是，包括顺序叠接的底层硅基层、介电层和金属层；所述的硅基层为包裹GaN纳米线的硅基层；所述的介电层为MgF2介电层；所述的金属层材质为Au。这种装置局域化特性强、增益阈值低、...
该专利属于广西师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过广西师范大学授权不得商用。

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