温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型提供一种半导体封装，其包括具有源极连接器的导电基座(基座)。漏极连接器和栅极连接器与所述基座电耦接。耗尽型氮化镓场效应晶体管(GaN FET)和增强型横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOS FET)也与所述基座耦接。所述...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。