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本实用新型公开了一种半导体功率器件结构，在传统的横向功率器件Trench LDMOS结构的Trench层中引入多层深度不同的纵向金属场板，同时在漂移区中引入一层重掺杂n型层，在提高器件击穿电压方面，多层长度不等的金属场板可以在漂移区中引入多...
该专利属于工业和信息化部电子第五研究所华东分所所有，仅供学习研究参考，未经过工业和信息化部电子第五研究所华东分所授权不得商用。

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