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本发明公开了去除单壁碳纳米管中金属性单壁碳纳米管制备半导体性单壁碳纳米管的方法，是将所述单壁碳纳米管置于一定强度的光下照射，即去除金属性单壁碳纳米管，得到所述半导体性单壁碳纳米管，其中，照射到碳纳米管样品表面、波长范围在１８０ｎｍ～１１μｍ...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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