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本发明涉及一种高α－Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］相氮化硅制备方法，依次按照以下步骤进行：（１）由硅粉和氮化硅粉混合均匀压块装炉；（２）抽真空达到（１．０－３．０）×１０↑［－２］Ｐａ；（３）向炉内充入氢气和氮气，氢气和氮气的充入体积比为：氢气∶氮...该专利属于山东硅苑新材料科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东硅苑新材料科技股份有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种高α－Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］相氮化硅制备方法，依次按照以下步骤进行：（１）由硅粉和氮化硅粉混合均匀压块装炉；（２）抽真空达到（１．０－３．０）×１０↑［－２］Ｐａ；（３）向炉内充入氢气和氮气，氢气和氮气的充入体积比为：氢气∶氮...