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本发明公开的ＴｉＮ纳米粉体的制备方法，采用的是化学气相沉积法，将清洗后的基片放入气相沉积反应室，以惰性气体为载气将ＮＨ↓［３］和经预热的钛源通入反应室，制备ＴｉＮ纳米粉体。工艺简单，生产成本低，可连续生产，效率高，产量高，且可以方便、有效的...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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