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本发明公开了一种高电化学容量氧化石墨烯及其低温制备方法和应用。所述的氧化石墨烯，该氧化石墨烯片层厚度为０．３５～２０ｎｍ，比表面积为２００～８００ｍ↑［２］／ｇ，电化学比容量达到５０～２２０Ｆ／ｇ。其制备方法将氧化石墨在高真空下以一定升温速...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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