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本发明公开了一种Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，包括源、漏、栅电极以及异质结构，源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，异质结构包括第一、第二半导体，第二半导体的带隙宽余于第一半导体，第一半导体设置于源、漏电极之间，栅电极设于第二半...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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