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本发明提供一种制造多晶硅的方法，包括：a)在至少一个U形支撑体上通过CVD法沉积多晶硅，所述U形支撑体通过直接通电加热至使多晶硅在所述支撑体上沉积的温度，导致形成至少一个U形对的多晶硅棒，所述支撑体的各个自由端连接至石墨电极上，并以这种方式...
该专利属于瓦克化学股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过瓦克化学股份公司授权不得商用。

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