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本发明涉及包括限定空隙的材料的电子器件及其形成方法。一种电子器件包括一个或多个沟槽,所述沟槽包括限定一个或多个空隙的材料。在一个实施例中,衬底限定沟槽,所述沟槽具有第一部分和与所述第一部分侧向相邻的第二部分,其中所述第一部分具有第一宽度,所...该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。
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本发明涉及包括限定空隙的材料的电子器件及其形成方法。一种电子器件包括一个或多个沟槽,所述沟槽包括限定一个或多个空隙的材料。在一个实施例中,衬底限定沟槽,所述沟槽具有第一部分和与所述第一部分侧向相邻的第二部分,其中所述第一部分具有第一宽度,所...